K. Miyazaki1, T. Kajiwara2, K. Uchino2, K. Muraoka2, T. Okada3, and M. Maeda, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 3197 (1999)
Atomic hydrogen temperature in silane plasmas used for the deposition of a-Si:H films
- DOI:
http://dx.doi.org/10.1116/1.582042
+++J. Vac. Sci. Technol. A - 1ст.
+++J. Vac. Sci. Technol. A - 1ст.
Здравствуйте! Прошу скачать статью:
K. Miyazaki1, T. Kajiwara2, K. Uchino2, K. Muraoka2, T. Okada3, and M. Maeda, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 3197 (1999)
Atomic hydrogen temperature in silane plasmas used for the deposition of a-Si:H films
K. Miyazaki1, T. Kajiwara2, K. Uchino2, K. Muraoka2, T. Okada3, and M. Maeda, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 3197 (1999)
Atomic hydrogen temperature in silane plasmas used for the deposition of a-Si:H films
Последний раз редактировалось o-oxhem Чт мар 28, 2013 7:07 pm, всего редактировалось 1 раз.
Re: J. Vac. Sci. Technol. A - 1ст.
У вас нет необходимых прав для просмотра вложений в этом сообщении.
Re: J. Vac. Sci. Technol. A - 1ст.
спасибо.
Кто сейчас на конференции
Сейчас этот форум просматривают: Bing [Bot] и 14 гостей