Скачайте, пожалуйста, статью:
Characterization of AlxGa1−xAs layers grown on (100) GaAs by metallic-arsenic-based-MOCVD
J. Díaz-Reyes, M. Galván-Arellano, R.S. Castillo-Ojeda, R. Peña-Sierra
Vacuum
Volume 84, Issue 10, 19 May 2010, Pages 1182-1186
- DOI:
http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2009.10.021
Спасибо!