ГАЛЛИЯ АНТИМОНИД (стибнид галлия) GaSb, светлосерые
кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а
= 0,609593 нм); т. пл. 712°С; плота. 5,6137 г/см3 (20°С);
С° 48,6 Дж/(моль*К);
65,19 кДж/моль, -44,2 кДж/моль; So298 76,17 ДжДмоль
• К); при высоком давлении
существует тетрагон, модификация; тройная точка. температура 385 °С, давл. 5,58
ГПа; температурный коэф. линейного расширения 6,7*10-6 К-1;
теплопроводность 35Вт/(м*К) (27 °С); =
15,69. Полупроводник. при 27 °С ширина запрещенной зоны 0,79 эВ, подвижность
электронов 4000 см2 /(В*с), дырок 800 см2 /(В-с);
эффективная масса электронов проводимости me = 0,45m0
(m0-масса свободного электрона). галлия антимонид устойчив на воздухе и
в воде. медленно взаимод. с минеральными кислотами и конц. растворами щелочей.
Получают GaSb сплавлением Ga с 5%-ным избытком Sb
в атмосфере Н, в кварцевых или графитовых контейнерах, после чего GaSb
гомогенизируют зонной плавкой. Мон.кристаллы выращивают по методу Чохральского
в атмосфере Н2. галлия антимонид-полупроводниковый материал для СВЧ-диодов,
транзисторов, микроволновых детекторов и др. П. И. Федоров.
65,19 кДж/моль, -44,2 кДж/моль; So298 76,17 ДжДмоль
• К); при высоком 
давлении
существует тетрагон, модификация; 
=
15,69.